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力旺電子推出新車規嵌入式EEPROM IP編寫次數達50萬次以上
2017年11月27日 16:03 電子產業網

    力旺電子新推出編寫次數超過50萬次的嵌入式EEPROM(電子抹除式可復寫唯讀記憶體)硅智財(Silicon IP),符合高溫、耐用及生命?期長的車規標?剩??ν?誄滌玫繾郵諧〉男?丫幀?/p>

    這項強化版IP是力旺NeoEE嵌入式EEPROM家族的新產品。新版IP編寫次數是塬版的數十倍,編寫/抹除(Program/Erase)時間則縮減近半,資料保存期限在150°C高溫操作下可達10年。

    新版NeoEE與現有邏輯?程及車規常用的BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)?程完全相容,無需外加光罩即可整合至不同類型之?程平臺。這項IP已通過晶圓廠0.18um/5V?程平臺的驗證,力旺已著手?呀ㄕ庀羆際踔療淥?V平臺。

    強化版NeoEE非常適合有高編寫需求的應用,包括指紋辨識、智慧卡、NFC、RFID,電源管理IC和微處理器等。此外,這項IP的耐受度(endurance)、高溫操作及生命?期完全依照AEC-Q100的車規標?噬杓疲?⑼ü?細竦牟饈浴?/p>

    可編寫記憶體經過重復編寫后,穩定度會逐次遞減,主要是因為重復編寫會改變記憶體的電子分布,導致編寫和抹除位元間的訊號差異愈來愈不明顯,后終至無法分辨。

    力旺電子的嵌入式非揮發性記憶體(Non-volatile Memory)硅智財市占率,已累積十多年的量產經驗。此次力旺透過優化記憶體單元架構及?裼瞇碌謀嘈?抹除運算法,減輕重復編寫造成的記憶體損耗,大幅提升NeoEE的重復編寫能力至50萬次以上。

    強化版NeoEE經過長達2,500個小時150°C高溫測試后,編寫和抹除位元狀態依舊穩定,并無電流(壓)增加或流失的現象。

    NeoEE結構簡單,抹寫次數可高達1千至50萬次以上,高容量達16K bits,可操作溫度區間為-40~150°C,資料保存期限長達10年。

    由于與現有邏輯?程完全相容,NeoEE無需外加任何光罩即可整合至不同類型之?程平臺,代工廠導入成本極低且可節省產品開發時間。另外,NeoEE還具備低功率消耗的優點。

    NeoEE 硅智財以標??V MOS?程平臺為開發基礎,容易整合至車用電子常使用的高壓(HV) 及BCD等?程平臺。從成本及安全角度考量,結構簡單、安全的NeoEE是取代傳統外掛式EEPROM的理想選擇。

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